Semi-conducteur III-V

Un semi-conducteur III-V est un semi-conducteur composite fabriqué à partir d'un ou plusieurs éléments de la colonne III du tableau périodique des éléments, et d'un ou plusieurs éléments de la colonne V.

Catégories :

Semi-conducteur - Matériau

Un semi-conducteur III-V est un semi-conducteur composite fabriqué à partir d'un ou plusieurs éléments de la colonne III du tableau périodique des éléments (bore, aluminium, gallium, ... ), et d'un ou plusieurs éléments de la colonne V (azote, phosphore, arsenic, antimoine, ... ).

Exemples de semi-conducteur III-V :

Composés binaires :

Antimoniure d'aluminium (AlSb)
Arséniure d'aluminium (AlAs)
Nitrure d'aluminium (AlN)
Phosphure d'aluminium (AlP)
Arséniure de bore (BAs)
Nitrure de bore (BN)
Phosphure de bore (BP)

Antimoniure de gallium (GaSb)
Arséniure de gallium (GaAs)
Nitrure de gallium (GaN)
Phosphure de gallium (GaP)
Antimoniure d'indium (InSb)
Arséniure d'indium (InAs)
Nitrure d'indium (InN)
Phosphure d'indium (InP)

Composés ternaires
- Arséniure de gallium-aluminium (AlGaAs, Al_xGa_1-xAs)
- Arséniure de gallium-indium (InGaAs, In_xGa_1-xAs)
- Phosphure de gallium-indium (InGaP)
- Arséniure d'aluminium-indium (AlInAs)
- Antimoniure d'aluminium-indium (AlInSb)
- Arséniure-nitrure de gallium (GaAsN)
- Arséniure-phosphure de gallium (GaAsP)
- Nitrure de gallium-aluminium (AlGaN)
- Phosphure de gallium-aluminium (AlGaP)
- Nitrure de gallium-indium (InGaN)
- Arséniure-antimoniure d'indium (InAsSb)
- Antimoniure de gallium-indium (InGaSb)

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"Semi-conducteur III-V"
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